(无源晶振主要电气参数及其对电路的影响)
RR
阻抗RR越小,晶振越容易起振;反之,若晶振ESR过高,则晶振不易起振,可能会给电路造成不稳定。
C1
动态电容
L1
动态电感
C0
静电容
静电容C0不能太高,否则易产生较大的副波,影响晶振频率稳定性。
FL
在特定负载电容以及激励功率下,频偏越小越好。
DLD2
不同驱动功率(Drive Level)下,阻抗最大-阻抗最小,越小越好。
若晶振DLD2不良,会造成“睡眠晶振”,表现为晶振时振时不振。 晶振DLD2不良主要为晶振制程污染所导致。
DLD:英文全称Drive Level Dependency
指当不同功率驱动晶振时,所得最大阻抗与最小阻抗之差。DLD2越小越好。
当无源晶振制程受污染时,DLD2值会偏高,导致时振与时不振现象,即造成“睡眠晶振”(Crystal Sleeping)。
合格的晶振不会因驱动功率变化而变化而产生较高的阻抗差异。值得一提的是,目前一些晶振供应商不会主动提供此重要指标参数给客戶。
产12MHz晶振合格品测试数据如下: