技术支持
  • 关于芯片STM32F103中LSE(低速时钟)32.768KHz晶振的选取
    2024-09-10
    关于芯片STM32F103中LSE(低速时钟)32.768KHz晶振的选取,解释如下: 低速外部时钟 对于LSE,在STM32F103x8B_DS_CH_V10中说明如下: 低速外部时钟(LSE)可以使用一个32.768kHz的晶体谐振器构成的振荡器产生。在应用中,谐振器和负载电容必须尽可…
  • 芯片对晶振外接匹配电容的配置要求
    2024-09-09
    (该芯片推荐晶振负载电容为:最小值5pF,典型值7pF,最大值9pF) 关于芯片对晶振外接匹配电容的配置要求,需要仔细阅读芯片手册相关内容。 举例:某款芯片对晶振外接电容配置说明如下: On-chip default connected capacitance including reference…
  • 无源晶振串联电阻一般选取多大?
    2024-09-08
    无源晶振串联电阻一般选取多大? 答:如果晶振电路不存在来自MCU的激励功率过驱,则无需串联电阻(阻尼电阻)。因为串联电阻意味着在晶振起振电路中额外增加了阻抗,其值过大可能造成晶振起振慢或停振。 如果晶振起振电路确实存在过驱现象,造成输出波形畸变,可以串联几十欧姆的电阻。建议串联电阻具体数值…
  • 晶振电阻大不利于驱动吗?
    2024-09-07
    晶振电阻大不利于驱动吗? 答:是的,晶振电阻越大,起振越困难。如果晶振电阻严重超差,则会造成晶振无法起振。因此在晶振选型时,请关注IC手册对晶振等效串联电阻(ESR)大小的要求,如:小于30欧姆。
  • 13.52127MHz单端晶体振荡电路:密勒振荡电路
    2024-09-06
    晶体频率及射频频点 MRF521 采用单端晶体振荡电路(密勒振荡电路,这种应用较少),晶体振荡所需的负载电容集成于芯片内。推荐使用精度在为±20ppm,等效电阻小于60Ω,负载电容为15pF的晶体谐振器。所需注意的是,由于不同封装规格的晶体存在着寄生电容差异,请用户选用晶体谐振器时注意评估,避免由于…
  • SMD2016晶振PIN4缺角原因是什么?
    2024-09-06
    晶振PIN4缺角原因是什么? 答:在产SMD2016无源贴片晶振规格书中有注明,该SMD2016系列比较特殊,焊盘缺角标识为#4脚,对角方向为#2脚,这两个脚为空脚位,建议悬空(非RF产品)或接地(RF产品)。另外两个脚分别为#1和#3,互为对角线方向,#1和#3为频率管脚,不具备方向性,…
  • 有源晶振需要串联电阻吗?
    2024-09-05
      有源晶振需要串联电阻吗? 答:在有源晶振应用电路中,一般不需要串联电阻。 如上图所示: 当发生信号反射或/及信号完整性受损时,可以尝试增加一个低阻值串联电阻,选值一般为几十欧姆,如20~50欧姆。
  • 关于电磁干扰对天线接收性能的影响及解决方案
    2024-09-04
    关于电磁干扰对天线接收性能的影响及解决方案,总结如下: 电磁干扰对天线接收性能的负面影响: 1、电磁干扰会引起天线输入端噪声的增加,导致信号与噪声比(S/N)下降,从而降低接收机的灵敏度。 2、电磁干扰还可能导致天线工作频率范围发生偏移,使得天线无法准确接收特定频段的信号。此外,电磁干扰还…
  • 石英晶片(频率片)对晶振频率的影响
    2024-09-03
    (晶振内置石英晶片脏污且破损图片) 关于石英晶片(频率片)对晶振频率的影响,介绍如下: 晶片无损加工工艺基本流程 1、移载定位 2、工装定位清洗 3、镀银 晶片生产流程及优势 1、提高晶片研磨技术,实时监控晶片厚度,确保晶片表面平滑,有效增强频率主波信号输出稳定,使副波(谐波)信…
  • 2脚晶振能否替换4脚晶振?
    2024-09-02
    2脚晶振能否替换4脚晶振? 答:在无源晶振应用方案中,实质只用到晶振的两个频率管脚,因此从应用原理角度来看是可以替换的。2脚晶振替换4脚晶振,为降级使用。 进一步说明: 在射频类应用中,如需要抗电磁干扰,则建议选用4脚晶振。一般情况下,脚1和脚3为频率管脚;脚2和脚4为接地脚,建议接地使用,以便把电…
电话:0755-23068369